창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP25N40D-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Packaging Information SiHP25N40D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 170m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1707pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 278W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP25N40D-E3 | |
| 관련 링크 | SIHP25N, SIHP25N40D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MCT06030C5909FP500 | RES SMD 59 OHM 1% 1/8W 0603 | MCT06030C5909FP500.pdf | |
![]() | RW1S0BAR039F | RES SMD 0.039 OHM 1% 1W J LEAD | RW1S0BAR039F.pdf | |
![]() | GL156 | GL156 GTM SOT-223 | GL156.pdf | |
![]() | b3f-1072 | b3f-1072 jst SMD or Through Hole | b3f-1072.pdf | |
![]() | HD1202 | HD1202 HIT CDIP | HD1202.pdf | |
![]() | Q2N3904 | Q2N3904 ST SOT23-3 | Q2N3904.pdf | |
![]() | 72231L15J | 72231L15J IDT SMD or Through Hole | 72231L15J.pdf | |
![]() | ATC650L1R8BT200T | ATC650L1R8BT200T AMTC SMD or Through Hole | ATC650L1R8BT200T.pdf | |
![]() | BZV55-C3V6 (3.6V) | BZV55-C3V6 (3.6V) PHILIPS LL-34 | BZV55-C3V6 (3.6V).pdf | |
![]() | D881LH | D881LH SAMSUNG SMD or Through Hole | D881LH.pdf | |
![]() | 2SV290 TPL3 | 2SV290 TPL3 TOSHIBA SOD523 | 2SV290 TPL3.pdf | |
![]() | LT1121AHVCS8#TRPBF | LT1121AHVCS8#TRPBF LT SOP8 | LT1121AHVCS8#TRPBF.pdf |