창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP21N60EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHP21N60EF | |
| 애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | 600 V EF Series MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 176m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2030pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 227W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP21N60EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHP21N60, SIHP21N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | GBCN | GBCN ST SOT23-6 | GBCN.pdf | |
![]() | C4532X7R1C106KT | C4532X7R1C106KT TDK SMD | C4532X7R1C106KT.pdf | |
![]() | 5.13.081(WURTH4971080321) | 5.13.081(WURTH4971080321) ORIGINAL SMD or Through Hole | 5.13.081(WURTH4971080321).pdf | |
![]() | 926868-3 | 926868-3 TEConnectivity SMD or Through Hole | 926868-3.pdf | |
![]() | ESMH251VSN471MR30S | ESMH251VSN471MR30S Chemi-con NA | ESMH251VSN471MR30S.pdf | |
![]() | S3C72B9D72-C0C9 | S3C72B9D72-C0C9 SAMSUNG SMD or Through Hole | S3C72B9D72-C0C9.pdf |