창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP17N60D-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHP17N60D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 340m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1780pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 277.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP17N60D-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHP17N6, SIHP17N60D-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | AR1206FR-0747K5L | RES SMD 47.5K OHM 1% 1/4W 1206 | AR1206FR-0747K5L.pdf | |
![]() | SFR16S0001802JA500 | RES 18K OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0001802JA500.pdf | |
![]() | 57Z43-2 | 57Z43-2 AMI DIP-40 | 57Z43-2.pdf | |
![]() | M55310/10-B21A 16M00000 | M55310/10-B21A 16M00000 McCOY CNA8 | M55310/10-B21A 16M00000.pdf | |
![]() | 74HC390DB | 74HC390DB ph INSTOCKPACK2000 | 74HC390DB.pdf | |
![]() | FD-ACER-02 | FD-ACER-02 ACER SOP28 | FD-ACER-02.pdf | |
![]() | M2301ENE-LF-Z TEL:82766440 | M2301ENE-LF-Z TEL:82766440 MPS SMD or Through Hole | M2301ENE-LF-Z TEL:82766440.pdf | |
![]() | GRP15S2C1H101JD01E | GRP15S2C1H101JD01E MURATA SMD | GRP15S2C1H101JD01E.pdf | |
![]() | VC5510AGGW2 | VC5510AGGW2 TI BGA | VC5510AGGW2.pdf | |
![]() | TLYH1106 | TLYH1106 TOSHIBA 3.5 L) 2.8(W) 1.9(H) | TLYH1106.pdf | |
![]() | MDS200-12 | MDS200-12 YJ SMD or Through Hole | MDS200-12.pdf | |
![]() | 400WXA4R7MEFC | 400WXA4R7MEFC Rubycon SMD or Through Hole | 400WXA4R7MEFC.pdf |