창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP12N60E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiHF12N60E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 937pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 147W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP12N60E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHP12N6, SIHP12N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | HK212533NJ-T | 33nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 600 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | HK212533NJ-T.pdf | |
![]() | RNCP0603FTD27K4 | RES SMD 27.4K OHM 1% 1/8W 0603 | RNCP0603FTD27K4.pdf | |
![]() | ERJ-1GNF1100C | RES SMD 110 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF1100C.pdf | |
![]() | IS61LV51216AL-10TL | IS61LV51216AL-10TL ISSI SMD or Through Hole | IS61LV51216AL-10TL.pdf | |
![]() | R29681DMB | R29681DMB RAY CDIP24 | R29681DMB.pdf | |
![]() | A437900 | A437900 N/old TSSOP | A437900.pdf | |
![]() | PSD301-B-90 | PSD301-B-90 WSI PLCC44 | PSD301-B-90.pdf | |
![]() | 2SA1162-Y-SY | 2SA1162-Y-SY ORIGINAL SOT-23 | 2SA1162-Y-SY.pdf | |
![]() | MM1431AT | MM1431AT MITSUMI TO-92 | MM1431AT.pdf | |
![]() | 612-2624 | 612-2624 ORIGINAL SMD or Through Hole | 612-2624.pdf | |
![]() | FH26-25S-0.3SHW /05 | FH26-25S-0.3SHW /05 ORIGINAL SMD or Through Hole | FH26-25S-0.3SHW /05.pdf | |
![]() | MC-78F0712-KIT | MC-78F0712-KIT ORIGINAL EVALBOARD | MC-78F0712-KIT.pdf |