창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHH14N65E-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHH14N65E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1712pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIHH14N65E-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHH14N65E-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHH14N65E, SIHH14N65E-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | P6KE200AHE3/73 | TVS DIODE 171VWM 274VC DO204AC | P6KE200AHE3/73.pdf | |
![]() | AT1206DRE072K26L | RES SMD 2.26K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE072K26L.pdf | |
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![]() | 917789-1 | 917789-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 917789-1.pdf | |
![]() | PIC16F84A-04SO | PIC16F84A-04SO ORIGINAL SOP | PIC16F84A-04SO.pdf | |
![]() | BYV33F-45 | BYV33F-45 NXP TO-220 | BYV33F-45.pdf | |
![]() | 2SA1797 / AGP | 2SA1797 / AGP ROHM SOT-89 | 2SA1797 / AGP.pdf |