창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHH14N60E-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHH14N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, and SiHH11N60E MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 255m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1416pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 147W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIHH14N60E-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHH14N60E-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIHH14N60E, SIHH14N60E-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
EL3051M-V | Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | EL3051M-V.pdf | ||
ACS755KCB-150 | ACS755KCB-150 Allegro CB-PFF | ACS755KCB-150.pdf | ||
MPC86OENVR50D4 | MPC86OENVR50D4 MOTOROLA BGA | MPC86OENVR50D4.pdf | ||
NEO-112755-001 | NEO-112755-001 NEOPH SMD or Through Hole | NEO-112755-001.pdf | ||
SA1535G | SA1535G Silan SOT-23L | SA1535G.pdf | ||
POF7941 | POF7941 PHI SSOP20M | POF7941.pdf | ||
FMP12-R25B | FMP12-R25B TDK SMD or Through Hole | FMP12-R25B.pdf | ||
SST25VF020B-80-4C-QAE-T | SST25VF020B-80-4C-QAE-T MICROCHIP 8 TDFN-S 6x5x0.8mm T | SST25VF020B-80-4C-QAE-T.pdf | ||
BTS6138D | BTS6138D INFINEON P-TO252-5 | BTS6138D.pdf | ||
CR32NP-1R5M | CR32NP-1R5M SUMIDA SMD or Through Hole | CR32NP-1R5M.pdf | ||
SN65HVD11SJD | SN65HVD11SJD TexasInstruments SMD or Through Hole | SN65HVD11SJD.pdf | ||
T494A475K020AT+ | T494A475K020AT+ KEMET SMD or Through Hole | T494A475K020AT+.pdf |