창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHH11N65E-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHH11N65E | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 363m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1257pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SiHH11N65E-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHH11N65E-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIHH11N65E, SIHH11N65E-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
GRM1555C1H1R4CA01D | 1.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H1R4CA01D.pdf | ||
OPB980N55Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS | OPB980N55Z.pdf | ||
ISSI346A-36R1 | ISSI346A-36R1 ISSI SMD | ISSI346A-36R1.pdf | ||
HCF4555BM1 | HCF4555BM1 ST SMD-16 | HCF4555BM1.pdf | ||
CMA8216 | CMA8216 ORIGINAL DIP8 | CMA8216.pdf | ||
LDB15C201A1747F-002 | LDB15C201A1747F-002 muRata SMD | LDB15C201A1747F-002.pdf | ||
FWR-1 | FWR-1 ORIGINAL ZIP9 | FWR-1.pdf | ||
0402 1UF | 0402 1UF SAMSUNG SMD or Through Hole | 0402 1UF.pdf | ||
92RL10 | 92RL10 IR SMD or Through Hole | 92RL10.pdf | ||
AP124-12000-2106 | AP124-12000-2106 ORIGINAL SMD or Through Hole | AP124-12000-2106.pdf | ||
KTN2222AAT | KTN2222AAT KEC TR | KTN2222AAT.pdf | ||
THM91000AS10/TC511000AJ10 | THM91000AS10/TC511000AJ10 TOS SIMM | THM91000AS10/TC511000AJ10.pdf |