창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG47N65E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG47N65E-GE3 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 273nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5682pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 417W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG47N65E-GE3 | |
관련 링크 | SIHG47N6, SIHG47N65E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
T527I107M006ATE100 | 100µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 1206 (3216 Metric) 100 mOhm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T527I107M006ATE100.pdf | ||
AF0402DR-0726K7L | RES SMD 26.7KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AF0402DR-0726K7L.pdf | ||
AF1210FR-0736RL | RES SMD 36 OHM 1% 1/2W 1210 | AF1210FR-0736RL.pdf | ||
RT0603WRB0722K1L | RES SMD 22.1K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRB0722K1L.pdf | ||
ST5000-FC | ST5000-FC INTEL SMD or Through Hole | ST5000-FC.pdf | ||
PTZ TE25 3.6B | PTZ TE25 3.6B ROHM 1808 | PTZ TE25 3.6B.pdf | ||
TPS3707-33DG4 | TPS3707-33DG4 TI SOP8 | TPS3707-33DG4.pdf | ||
PS7241E | PS7241E TI NA | PS7241E.pdf | ||
S9252 | S9252 NSC PLCC20 | S9252.pdf | ||
7860CSQ | 7860CSQ ESVM DIP-8 | 7860CSQ.pdf | ||
IS62WV25616ALL-55TI | IS62WV25616ALL-55TI ISSI TSOP | IS62WV25616ALL-55TI.pdf |