창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG47N60EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG47N60EF | |
애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
비디오 파일 | Super 12 for 2014 SiHG47N60E – E series MOSFETs MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | 600 V EF Series MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4854pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 379W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG47N60EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHG47N60, SIHG47N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F40623CSR | 40.61MHz ±20ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40623CSR.pdf | |
![]() | DSN6NZ81H103Q91A | 0.01µF Feed Through Capacitor 50V 6A Radial - 3 Leads | DSN6NZ81H103Q91A.pdf | |
![]() | MCR10EZPJ273 | RES SMD 27K OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZPJ273.pdf | |
![]() | RT1206WRD073K6L | RES SMD 3.6K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD073K6L.pdf | |
![]() | NSL-6110 | PHOTOCELL CDS 170OHM TO-18 | NSL-6110.pdf | |
![]() | UC3842BD1013/P | UC3842BD1013/P STM SMD or Through Hole | UC3842BD1013/P.pdf | |
![]() | IDT54FCT139LE | IDT54FCT139LE IDT SMD or Through Hole | IDT54FCT139LE.pdf | |
![]() | LM48510SD/NOPB | LM48510SD/NOPB NSC Call | LM48510SD/NOPB.pdf | |
![]() | 215-0882008 | 215-0882008 ATI SMD or Through Hole | 215-0882008.pdf | |
![]() | MAX8869EUE25 | MAX8869EUE25 MAXIM sop | MAX8869EUE25.pdf | |
![]() | 5KP90CAT | 5KP90CAT LITTELFUSE SMD or Through Hole | 5KP90CAT.pdf |