창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHG47N60EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHG47N60EF | |
| 애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
| 비디오 파일 | Super 12 for 2014 SiHG47N60E – E series MOSFETs MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | 600 V EF Series MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4854pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 379W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHG47N60EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHG47N60, SIHG47N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | UCC3912GP | UCC3912GP UC SMD or Through Hole | UCC3912GP.pdf | |
![]() | VC5E-5R0J | VC5E-5R0J ORIGINAL DO-35 | VC5E-5R0J.pdf | |
![]() | SF96Y | SF96Y NEC SMD or Through Hole | SF96Y.pdf | |
![]() | A08SPL0371 | A08SPL0371 AEROVOX SMD or Through Hole | A08SPL0371.pdf | |
![]() | LKS0745 TTEG 150M | LKS0745 TTEG 150M KOA SMD or Through Hole | LKS0745 TTEG 150M.pdf | |
![]() | MCM63P631TQ4.5R | MCM63P631TQ4.5R MOT TQFP | MCM63P631TQ4.5R.pdf | |
![]() | SP707CE | SP707CE SP SOP | SP707CE.pdf | |
![]() | SI2302DS-T1 TEL:82766440 | SI2302DS-T1 TEL:82766440 YISHAY SMD or Through Hole | SI2302DS-T1 TEL:82766440.pdf | |
![]() | T1637-01 | T1637-01 ORIGINAL BGA | T1637-01.pdf | |
![]() | HMZ321611T-102Y | HMZ321611T-102Y HBD SMD or Through Hole | HMZ321611T-102Y.pdf | |
![]() | N8259-2 | N8259-2 INTEL DIP | N8259-2.pdf |