창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG33N65EF-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG33N65EF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | 650 V Fast Body Diode MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 109 m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 171nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4026pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 313W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SiHG33N65EF-GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG33N65EF-GE3 | |
관련 링크 | SIHG33N65, SIHG33N65EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1MBH30D-060 | 1MBH30D-060 FUJI TO-3P | 1MBH30D-060.pdf | |
![]() | 2SC1317-Q | 2SC1317-Q PANASONIC TO-92 | 2SC1317-Q.pdf | |
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![]() | PSD934F2-70M | PSD934F2-70M ST QFP | PSD934F2-70M.pdf | |
![]() | DZ11A36B9 | DZ11A36B9 HWD SMD or Through Hole | DZ11A36B9.pdf | |
![]() | MS35649-2384 | MS35649-2384 ORIGINAL SMD or Through Hole | MS35649-2384.pdf | |
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![]() | E1304LF | E1304LF ORIGINAL SMD or Through Hole | E1304LF.pdf | |
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![]() | LPZ1R005FE-PBF | LPZ1R005FE-PBF HDK SMD or Through Hole | LPZ1R005FE-PBF.pdf | |
![]() | SBR2540R | SBR2540R microsemi DO-4 | SBR2540R.pdf | |
![]() | AN2271FAS | AN2271FAS PANASONIC QFP | AN2271FAS.pdf |