창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG22N50D-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG22N50D | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1938pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 312W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG22N50D-E3 | |
관련 링크 | SIHG22N, SIHG22N50D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MKP383416025JF02W0 | 0.16µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | MKP383416025JF02W0.pdf | |
![]() | PE2512JKE070R009L | RES SMD 0.009 OHM 5% 1W 2512 | PE2512JKE070R009L.pdf | |
![]() | RCP2512B62R0GED | RES SMD 62 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B62R0GED.pdf | |
![]() | 01T5001JF | NTC Thermistor 5k Bead | 01T5001JF.pdf | |
![]() | HZV18B3-TR | HZV18B3-TR ORIGINAL SMD or Through Hole | HZV18B3-TR.pdf | |
![]() | M28C64A-15/SO | M28C64A-15/SO ORIGINAL SOP-28 | M28C64A-15/SO.pdf | |
![]() | NP1K105M05011 | NP1K105M05011 samwha DIP-2 | NP1K105M05011.pdf | |
![]() | 0603 X7R 103 10NF | 0603 X7R 103 10NF ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 X7R 103 10NF.pdf | |
![]() | 35-2036 | 35-2036 IR SMD or Through Hole | 35-2036.pdf | |
![]() | MSM5V108DVP-70H | MSM5V108DVP-70H MITSUBISHI TSSOP32 | MSM5V108DVP-70H.pdf | |
![]() | CS80-06IO2 | CS80-06IO2 IXYS SMD or Through Hole | CS80-06IO2.pdf |