창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG20N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHG20N50C | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2942pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SIHG20N50CE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHG20N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHG20N, SIHG20N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
ADT802 | ADT802 AD SOP3.9 | ADT802.pdf | ||
1N5919B-ON | 1N5919B-ON ON SMD or Through Hole | 1N5919B-ON.pdf | ||
3029019 | 3029019 ST SOP8 | 3029019.pdf | ||
STS4NFS30L | STS4NFS30L ST SOP-8 | STS4NFS30L.pdf | ||
7909-05-1002F | 7909-05-1002F SOTA CLCC | 7909-05-1002F.pdf | ||
MCT119 | MCT119 FSC DIP SOP | MCT119.pdf | ||
5452901500 | 5452901500 SUM SMD or Through Hole | 5452901500.pdf | ||
MIG100J7KS50 | MIG100J7KS50 TOSHIBA SMD or Through Hole | MIG100J7KS50.pdf | ||
TDA5767 | TDA5767 PH SMD or Through Hole | TDA5767.pdf | ||
6-1775443-2 | 6-1775443-2 TYCO SMD or Through Hole | 6-1775443-2.pdf | ||
LC98600C | LC98600C ORIGINAL BGA | LC98600C.pdf |