창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHG16N50C-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHG16N50C-E3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHG16N50C-E3 | |
| 관련 링크 | SIHG16N, SIHG16N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 1808GA180JATME | 18pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GA180JATME.pdf | |
![]() | A5KP6.5A-G | TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC R-6 | A5KP6.5A-G.pdf | |
![]() | CW010R2200JE73HS | RES 0.22 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R2200JE73HS.pdf | |
![]() | XC4044XLAHQ160-07C | XC4044XLAHQ160-07C XILINX QFP | XC4044XLAHQ160-07C.pdf | |
![]() | M48T86MH1E | M48T86MH1E STM SOP-24 | M48T86MH1E.pdf | |
![]() | DOS16-05T | DOS16-05T P-DUKE SMD or Through Hole | DOS16-05T.pdf | |
![]() | RM12F47R5CT | RM12F47R5CT CCE RES | RM12F47R5CT.pdf | |
![]() | TK71740SIL | TK71740SIL ORIGINAL SMD or Through Hole | TK71740SIL.pdf | |
![]() | FS6602J | FS6602J F QFP | FS6602J.pdf | |
![]() | 1107-33VOA | 1107-33VOA MIC SOP-8 | 1107-33VOA.pdf | |
![]() | LL1C476M6L011PA180 | LL1C476M6L011PA180 SAMWHA SMD or Through Hole | LL1C476M6L011PA180.pdf | |
![]() | PEB22822F | PEB22822F SIEMENS QFP | PEB22822F.pdf |