창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHF8N50D-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHF8N50D | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 527pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 33W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SIHF8N50D-E3CT SIHF8N50D-E3CT-ND SIHF8N50DE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHF8N50D-E3 | |
| 관련 링크 | SIHF8N5, SIHF8N50D-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | A2T21S160-12SR3 | IC TRANS RF LDMOS | A2T21S160-12SR3.pdf | |
![]() | 4003004015 | Magnet Alnico 5 (AlNiCo) 0.098" Dia x 0.500" H (2.50mm x 12.7mm) | 4003004015.pdf | |
![]() | MB8712 | MB8712 FUJ CDIP14 | MB8712.pdf | |
![]() | 10420 | 10420 N/A SOP20L | 10420.pdf | |
![]() | 74LVC04APW.118 | 74LVC04APW.118 NXP SMD or Through Hole | 74LVC04APW.118.pdf | |
![]() | CVXAEK0E471A9 | CVXAEK0E471A9 SANYO SMD | CVXAEK0E471A9.pdf | |
![]() | TES113ZD-A | TES113ZD-A IPD SMD or Through Hole | TES113ZD-A.pdf | |
![]() | MSD019-A0-1 | MSD019-A0-1 PROCONN SMD or Through Hole | MSD019-A0-1.pdf | |
![]() | 2SD892R | 2SD892R TOSHIBA DIP | 2SD892R.pdf | |
![]() | MC68A50BJCE | MC68A50BJCE ORIGINAL SMD or Through Hole | MC68A50BJCE.pdf | |
![]() | AN28F256A-200 | AN28F256A-200 ORIGINAL PLCC | AN28F256A-200.pdf | |
![]() | R75PR3560DQ30J | R75PR3560DQ30J Arcotronics DIP-2 | R75PR3560DQ30J.pdf |