창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHF23N60E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHF23N60E-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 158m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2418pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHF23N60E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHF23N6, SIHF23N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 08055A101MAT4A | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A101MAT4A.pdf | |
![]() | SRP1235-1R0M | 1µH Shielded Inductor 24A 3.5 mOhm Max Nonstandard | SRP1235-1R0M.pdf | |
![]() | RP73D2B2K74BTG | RES SMD 2.74K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B2K74BTG.pdf | |
![]() | DS1007S-Z | DS1007S-Z DALLAS SOP | DS1007S-Z.pdf | |
![]() | LT1514CS8-3.3 | LT1514CS8-3.3 LT SMD or Through Hole | LT1514CS8-3.3.pdf | |
![]() | 1YUD24N9E-N | 1YUD24N9E-N MR DIP14 | 1YUD24N9E-N.pdf | |
![]() | EP2A25B724C8N | EP2A25B724C8N ALTERA BGA724 | EP2A25B724C8N.pdf | |
![]() | FE2X07-5-2 | FE2X07-5-2 OTHER SMD or Through Hole | FE2X07-5-2.pdf | |
![]() | TP13054DW | TP13054DW TI SOP | TP13054DW.pdf | |
![]() | CM45321R2KSB | CM45321R2KSB INDUCTOR SMD or Through Hole | CM45321R2KSB.pdf | |
![]() | BK1218002 | BK1218002 RUILON SMD or Through Hole | BK1218002.pdf |