창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHF16N50C-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIH(P,B,F)16N50C | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 38W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHF16N50C-E3 | |
| 관련 링크 | SIHF16N, SIHF16N50C-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D110JLBAP | 11pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D110JLBAP.pdf | |
![]() | T495D156K035ATE260 | 15µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 260 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T495D156K035ATE260.pdf | |
![]() | 768141272GP | RES ARRAY 13 RES 2.7K OHM 14SOIC | 768141272GP.pdf | |
![]() | RSF2FT39K2 | RES MO 2W 39.2K OHM 1% AXIAL | RSF2FT39K2.pdf | |
![]() | DM2526ETN | DM2526ETN DMEL DIP | DM2526ETN.pdf | |
![]() | tr3296z1m | tr3296z1m div SMD or Through Hole | tr3296z1m.pdf | |
![]() | HGTG201N100E2 | HGTG201N100E2 HARRIS SMD or Through Hole | HGTG201N100E2.pdf | |
![]() | 2SD838 | 2SD838 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SD838.pdf | |
![]() | CDSCB10M7GA135S-R0 | CDSCB10M7GA135S-R0 MURATA SMD or Through Hole | CDSCB10M7GA135S-R0.pdf | |
![]() | SG1731AJ/883 | SG1731AJ/883 SG SMDDIP | SG1731AJ/883.pdf | |
![]() | TC55B8128J-10 | TC55B8128J-10 TOSHIBA SOJ | TC55B8128J-10.pdf |