창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF12N60E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiHF12N60E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 937pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 33W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHF12N60E-GE3 | |
관련 링크 | SIHF12N6, SIHF12N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 380LX102M200K022 | SNAPMOUNTS | 380LX102M200K022.pdf | |
![]() | 445W31J20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31J20M00000.pdf | |
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![]() | TCH35PR050JE | RES 0.05 OHM 35W 5% TO220 | TCH35PR050JE.pdf | |
![]() | 53643-0974 | 53643-0974 MOLEX 90pins | 53643-0974.pdf | |
![]() | 55-3337K | 55-3337K ORIGINAL QFN | 55-3337K.pdf | |
![]() | SW02PCR075 | SW02PCR075 WESTCODE DO-4 | SW02PCR075.pdf | |
![]() | SFECV10.7MA21S-TC | SFECV10.7MA21S-TC mURATA SMD or Through Hole | SFECV10.7MA21S-TC.pdf | |
![]() | BKO-CA1308H11 | BKO-CA1308H11 BKO SMD or Through Hole | BKO-CA1308H11.pdf | |
![]() | FQD11N20LTM | FQD11N20LTM FSC TO-252 | FQD11N20LTM.pdf | |
![]() | LM4120AIM5X-1.8(R21A) | LM4120AIM5X-1.8(R21A) NS SOT23-5 | LM4120AIM5X-1.8(R21A).pdf | |
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