창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHB24N65E-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 122nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2740pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SIHB24N65EE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHB24N65E-E3 | |
| 관련 링크 | SIHB24N, SIHB24N65E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 402F25033CAT | 25MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F25033CAT.pdf | |
![]() | BSS64LT1G | TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23 | BSS64LT1G.pdf | |
![]() | 3296W-1-501R | 500 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 25 Turn Top Adjustment | 3296W-1-501R.pdf | |
![]() | SRP1238A-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 10A 18.5 mOhm Max Nonstandard | SRP1238A-4R7M.pdf | |
![]() | H5PS5182FFPY5C | H5PS5182FFPY5C HYNIX BGA | H5PS5182FFPY5C.pdf | |
![]() | MKS2-0.1/100/5 | MKS2-0.1/100/5 WIMA SMD or Through Hole | MKS2-0.1/100/5.pdf | |
![]() | MAX34CWE | MAX34CWE TI SSOP20 | MAX34CWE.pdf | |
![]() | EMVL6R3ADA221MF80G+000 | EMVL6R3ADA221MF80G+000 ORIGINAL SMD or Through Hole | EMVL6R3ADA221MF80G+000.pdf | |
![]() | F753340G | F753340G FINTAK TSOP | F753340G.pdf | |
![]() | KLD | KLD MCC SOT-363 | KLD.pdf | |
![]() | MOC217R2M (PB) | MOC217R2M (PB) FSC SOP-8 | MOC217R2M (PB).pdf |