창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHB23N60E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHB23N60E-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 158m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2418pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 227W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHB23N60E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHB23N6, SIHB23N60E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | S0603-33NJ3E | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-33NJ3E.pdf | |
![]() | MCR03EZPJ680 | RES SMD 68 OHM 5% 1/10W 0603 | MCR03EZPJ680.pdf | |
![]() | CRCW120643R2FKEB | RES SMD 43.2 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120643R2FKEB.pdf | |
![]() | AM386 DX-40 | AM386 DX-40 AMD PQFP | AM386 DX-40.pdf | |
![]() | XC2C128VQ10 | XC2C128VQ10 XILINX QFP | XC2C128VQ10.pdf | |
![]() | TC1411NE | TC1411NE MIC SOP8 | TC1411NE.pdf | |
![]() | VN10KN3 | VN10KN3 SUPERTEX TO-92 | VN10KN3.pdf | |
![]() | SM3R3703T01 | SM3R3703T01 STARCAP SMD or Through Hole | SM3R3703T01.pdf | |
![]() | 95102DC | 95102DC ORIGINAL SMD or Through Hole | 95102DC.pdf | |
![]() | DF1-7P-2.5DSA(05) | DF1-7P-2.5DSA(05) HRS DF1-7P-2.5DSA(05) | DF1-7P-2.5DSA(05).pdf | |
![]() | 24LC01BT-I | 24LC01BT-I MICROCHIP SOT23-5 | 24LC01BT-I.pdf | |
![]() | BZX284B5V1,115 | BZX284B5V1,115 NXP SMD or Through Hole | BZX284B5V1,115.pdf |