창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHB12N50E-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIHB12N50E | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 886pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 114W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIHB12N50E-GE3 | |
관련 링크 | SIHB12N5, SIHB12N50E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
2DC4617Q-7 | TRANS NPN 50V 0.15A SOT-523 | 2DC4617Q-7.pdf | ||
STP60NF06 | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 | STP60NF06.pdf | ||
CMF55102K00BER6 | RES 102K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55102K00BER6.pdf | ||
7101MD9AV2BE | 7101MD9AV2BE C&K SMD or Through Hole | 7101MD9AV2BE.pdf | ||
SG-8002CA/SHB24.545MHz | SG-8002CA/SHB24.545MHz EPSON SMD or Through Hole | SG-8002CA/SHB24.545MHz.pdf | ||
TAP-1M-12M | TAP-1M-12M OKITA SMD or Through Hole | TAP-1M-12M.pdf | ||
MPL-5210 | MPL-5210 ORIGINAL SMD or Through Hole | MPL-5210.pdf | ||
MSP-45-24 | MSP-45-24 MW SMD or Through Hole | MSP-45-24.pdf | ||
E3HF-DS5E1 | E3HF-DS5E1 OMRON SMD or Through Hole | E3HF-DS5E1.pdf | ||
HX5200NL | HX5200NL PULSE SOP | HX5200NL.pdf | ||
AM25LS14AFMB | AM25LS14AFMB AMD Call | AM25LS14AFMB.pdf | ||
GL8HY26 | GL8HY26 SHARP ROHS | GL8HY26.pdf |