창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIE864DF-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIE864DF | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1510pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 10-PolarPAK®(U) | |
공급 장치 패키지 | 10-PolarPAK®(U) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIE864DF-T1-GE3TR SIE864DFT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIE864DF-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIE864DF-, SIE864DF-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CGS553U075X8L | 55000µF 75V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 8 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS553U075X8L.pdf | ||
![]() | SIT8008AI-22-33E-80.000000D | OSC XO 3.3V 80MHZ OE | SIT8008AI-22-33E-80.000000D.pdf | |
![]() | 4814P-T02-401 | RES ARRAY 13 RES 400 OHM 14SOIC | 4814P-T02-401.pdf | |
![]() | TAJA336K006S | TAJA336K006S AVX smd | TAJA336K006S.pdf | |
![]() | 293D336X0020D2T | 293D336X0020D2T VISHAY SMD or Through Hole | 293D336X0020D2T.pdf | |
![]() | 442GR7 | 442GR7 TI SMD or Through Hole | 442GR7.pdf | |
![]() | 6YXK2D9623 | 6YXK2D9623 ORIGINAL PLCC | 6YXK2D9623.pdf | |
![]() | LPO25060B-103 | LPO25060B-103 COILCRAFT SMD or Through Hole | LPO25060B-103.pdf | |
![]() | 7606FS | 7606FS ROHM SOP | 7606FS.pdf | |
![]() | WB1V157M0811MPG280 | WB1V157M0811MPG280 SAMWHA SMD or Through Hole | WB1V157M0811MPG280.pdf | |
![]() | K24C256-SIRGA | K24C256-SIRGA ORIGINAL sop8 | K24C256-SIRGA.pdf | |
![]() | LTC1706EMS81 | LTC1706EMS81 LT SMD or Through Hole | LTC1706EMS81.pdf |