창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB900EDK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIB900EDK | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 225m옴 @ 1.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIB900EDK-T1-GE3TR SIB900EDKT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIB900EDK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB900EDK, SIB900EDK-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
1F2TA | DIODE GEN PURP 100V 1A R-1 | 1F2TA.pdf | ||
IRGP20B60PDPBF | IGBT 600V 40A 220W TO247AC | IRGP20B60PDPBF.pdf | ||
RPC0805JT43R0 | RES SMD 43 OHM 5% 1/4W 0805 | RPC0805JT43R0.pdf | ||
TC164-FR-072K61L | RES ARRAY 4 RES 2.61K OHM 1206 | TC164-FR-072K61L.pdf | ||
CCSP0805F10RJ | CCSP0805F10RJ ORIGINAL SMD or Through Hole | CCSP0805F10RJ.pdf | ||
0.33UF35V-A | 0.33UF35V-A AVX SMD or Through Hole | 0.33UF35V-A.pdf | ||
L160DT70VC | L160DT70VC ORIGINAL SMD or Through Hole | L160DT70VC.pdf | ||
XCZS150TM PQ208 | XCZS150TM PQ208 ORIGINAL SMD or Through Hole | XCZS150TM PQ208.pdf | ||
CY2212ZXC-2 | CY2212ZXC-2 CypressSemiconduc SMD or Through Hole | CY2212ZXC-2.pdf | ||
LH0033CCG | LH0033CCG NS CAN | LH0033CCG.pdf | ||
TMS320VC5505ZCH | TMS320VC5505ZCH TI SMD or Through Hole | TMS320VC5505ZCH.pdf | ||
AS-14.31818-S | AS-14.31818-S ORIGINAL SMD | AS-14.31818-S.pdf |