창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB457EDK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIB457EDK | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 4.8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIB457EDK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB457EDK, SIB457EDK-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
HSP061-2M6 | TVS DIODE 3VWM 6UQFN | HSP061-2M6.pdf | ||
1N5336AE3/TR12 | DIODE ZENER 4.3V 5W T18 | 1N5336AE3/TR12.pdf | ||
1-1415539-4 | PTML0220 | 1-1415539-4.pdf | ||
CRG0201F2K37 | RES SMD 2.37K OHM 1% 1/20W 0201 | CRG0201F2K37.pdf | ||
Y47932K95000B0L | RES 2.95K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y47932K95000B0L.pdf | ||
2SK429 | 2SK429 ORIGINAL CAN | 2SK429.pdf | ||
2SA854AT93R | 2SA854AT93R ROHM TO-92 | 2SA854AT93R.pdf | ||
EVBQ26Extreme | EVBQ26Extreme Glyn SMD or Through Hole | EVBQ26Extreme.pdf | ||
IDT74FST3816Q | IDT74FST3816Q IDT TSSOP | IDT74FST3816Q.pdf | ||
NTE6075 | NTE6075 NTE SMD or Through Hole | NTE6075.pdf | ||
TLV2711IDBVR TEL:82766440 | TLV2711IDBVR TEL:82766440 TI SMD or Through Hole | TLV2711IDBVR TEL:82766440.pdf |