창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB452DK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIB452DK | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 190V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 135pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIB452DK-T1-GE3TR SIB452DKT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIB452DK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB452DK-, SIB452DK-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
12101K470JBTTR | 47pF Thin Film Capacitor 100V 1210 (3225 Metric) 0.119" L x 0.098" W (3.02mm x 2.50mm) | 12101K470JBTTR.pdf | ||
1.5SMC12AHE3/9AT | TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AB | 1.5SMC12AHE3/9AT.pdf | ||
EPA1885-8 | EPA1885-8 PCA SOP-16 | EPA1885-8.pdf | ||
794236-1 | 794236-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 794236-1.pdf | ||
U77-C4114-2011 | U77-C4114-2011 ORIGINAL SMD or Through Hole | U77-C4114-2011.pdf | ||
MGW12N20 | MGW12N20 ON TO-247 | MGW12N20.pdf | ||
PEX8114-BC13BI G | PEX8114-BC13BI G PLX BGA | PEX8114-BC13BI G.pdf | ||
LM3480IMS | LM3480IMS N/A NULL | LM3480IMS.pdf | ||
S09A TEL:82766440 | S09A TEL:82766440 NS 6SOT23 | S09A TEL:82766440.pdf | ||
KFH4G16Q2A-DEB8 | KFH4G16Q2A-DEB8 SAMSUNG FBGA | KFH4G16Q2A-DEB8.pdf |