창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIB410DK-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIB410DK | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42밀리옴 @ 3.8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-75-6L | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIB410DK-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIB410DK-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIB410DK-, SIB410DK-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
BFC246805825 | 8.2µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.374" W (26.00mm x 9.50mm) | BFC246805825.pdf | ||
HCPL0601R2 | Logic Output Optoisolator 10Mbps Open Collector 3750Vrms 1 Channel 10kV/µs CMTI 8-SO | HCPL0601R2.pdf | ||
CMF5568R100FKEK | RES 68.1 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5568R100FKEK.pdf | ||
ISP1122ANB | ISP1122ANB PHI DIP | ISP1122ANB.pdf | ||
TDSL3150 | TDSL3150 VIS SMD or Through Hole | TDSL3150.pdf | ||
ADC09034CIWM | ADC09034CIWM NSC SOP-14 | ADC09034CIWM.pdf | ||
2SC3277-M | 2SC3277-M SAY TO-3P | 2SC3277-M.pdf | ||
04820006ZXBF | 04820006ZXBF LF SMD or Through Hole | 04820006ZXBF.pdf | ||
VP21603-2 | VP21603-2 PHILIPS SMD or Through Hole | VP21603-2.pdf | ||
SMH400VN101M30X20T2 | SMH400VN101M30X20T2 UMITEDCHEMI-CON DIP | SMH400VN101M30X20T2.pdf | ||
BL1608-10P5250T | BL1608-10P5250T ACX SMD | BL1608-10P5250T.pdf | ||
EEE1EA220W | EEE1EA220W panasonic SMD or Through Hole | EEE1EA220W.pdf |