창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA923EDJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIA923EDJ | |
| PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 3.8A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA923EDJ-T1-GE3TR SIA923EDJT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA923EDJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA923EDJ, SIA923EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ASV-16.384MHZ-EJ-T | 16.384MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | ASV-16.384MHZ-EJ-T.pdf | |
![]() | LM2576HVS-12/NOPB | LM2576HVS-12/NOPB NS SO | LM2576HVS-12/NOPB.pdf | |
![]() | BCM5227BA4KPB-P14 | BCM5227BA4KPB-P14 BROADCOM BGA | BCM5227BA4KPB-P14.pdf | |
![]() | CB2016T330M | CB2016T330M TAIYO SMD | CB2016T330M.pdf | |
![]() | B3B-PH-SM4-TB | B3B-PH-SM4-TB JST SMD or Through Hole | B3B-PH-SM4-TB.pdf | |
![]() | MC68HC000CRC12 | MC68HC000CRC12 FREESCAL 16-BITMPU | MC68HC000CRC12.pdf | |
![]() | TL430I | TL430I NO SMD or Through Hole | TL430I.pdf | |
![]() | S-29230AFJA-TB | S-29230AFJA-TB SEIKO SOP | S-29230AFJA-TB.pdf | |
![]() | GSC3E/LP-7686 | GSC3E/LP-7686 SIRF BGA | GSC3E/LP-7686.pdf | |
![]() | UY76209A | UY76209A ORIGINAL QFN | UY76209A.pdf | |
![]() | TMA0518D | TMA0518D TRACO SMD or Through Hole | TMA0518D.pdf |