창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA921EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA921EDJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA921EDJ-T1-GE3-ND SIA921EDJ-T1-GE3TR SIA921EDJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA921EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA921EDJ, SIA921EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
Y17451K42000T0R | RES SMD 1.42K OHM 1/4W J LEAD | Y17451K42000T0R.pdf | ||
760009BGJ-104 | 760009BGJ-104 ORIGINAL QFP-176L | 760009BGJ-104.pdf | ||
AV11012 | AV11012 ORIGINAL SMD or Through Hole | AV11012.pdf | ||
R1115Z261D-TR-F | R1115Z261D-TR-F RICOH WLCSP-4-P4 | R1115Z261D-TR-F.pdf | ||
B5011UA1KQM | B5011UA1KQM BROADCOM 100QFP | B5011UA1KQM.pdf | ||
CM21Y5V475M16AT | CM21Y5V475M16AT ORIGINAL SMD or Through Hole | CM21Y5V475M16AT.pdf | ||
35-03USOC-S599 | 35-03USOC-S599 EVERLIGHT ROHS | 35-03USOC-S599.pdf | ||
53261-1771 | 53261-1771 molex SMD or Through Hole | 53261-1771.pdf | ||
TRM 8-18 XXX,2 | TRM 8-18 XXX,2 rflabs SMD or Through Hole | TRM 8-18 XXX,2.pdf | ||
BTB20-700C | BTB20-700C ST TO-220AB | BTB20-700C.pdf | ||
7M13000006 | 7M13000006 TXC SMD | 7M13000006.pdf | ||
ELMEC1505 | ELMEC1505 ELMEC SOT6 | ELMEC1505.pdf |