창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA906EDJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIA906EDJ | |
| PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 3.9A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA906EDJ-T1-GE3-ND SIA906EDJ-T1-GE3TR SIA906EDJT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA906EDJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA906EDJ, SIA906EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | B43041C9476M | 47µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B43041C9476M.pdf | |
![]() | ERJ-T08J821V | RES SMD 820 OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-T08J821V.pdf | |
![]() | RNF12FAD68K1 | RES 68.1K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FAD68K1.pdf | |
![]() | CMF55R50000GLR6 | RES .5 OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF55R50000GLR6.pdf | |
![]() | HM66A-03122R2NLF | HM66A-03122R2NLF BITechnologies SMD | HM66A-03122R2NLF.pdf | |
![]() | FM230A | FM230A rectron DO214AC | FM230A.pdf | |
![]() | UMZ-628-A16 | UMZ-628-A16 ORIGINAL SMD or Through Hole | UMZ-628-A16.pdf | |
![]() | MA2J111-TX | MA2J111-TX Panssoni SOD323 | MA2J111-TX.pdf | |
![]() | B1179BS-100M | B1179BS-100M TOKO SMD | B1179BS-100M.pdf | |
![]() | 0263002-P | 0263002-P LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0263002-P.pdf | |
![]() | MC14415FP | MC14415FP MOTOROLA 16-DIP | MC14415FP.pdf | |
![]() | CR6L-300G | CR6L-300G FUJI SMD or Through Hole | CR6L-300G.pdf |