창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA813DJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIA813DJ | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | LITTLE FOOT® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 94m옴 @ 2.8A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 355pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 6.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA813DJ-T1-GE3TR SIA813DJT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA813DJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA813DJ-, SIA813DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 885012005009 | 22pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 885012005009.pdf | |
![]() | 2SD2673TL | TRANS NPN 30V 3A TSMT 3 | 2SD2673TL.pdf | |
![]() | Y116956R0000T9L | RES SMD 56 OHM 0.01% 0.6W J LEAD | Y116956R0000T9L.pdf | |
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![]() | 1298F4-DB | 1298F4-DB AGERE BGA | 1298F4-DB.pdf | |
![]() | M54995FP, | M54995FP, MIT SMD-16 | M54995FP,.pdf | |
![]() | SB80-18 | SB80-18 SANYO 3P | SB80-18.pdf | |
![]() | XBDAWT-0-0D0-R20-0B-0001 | XBDAWT-0-0D0-R20-0B-0001 CREE SMD or Through Hole | XBDAWT-0-0D0-R20-0B-0001.pdf | |
![]() | 0.0327MHZ | 0.0327MHZ KDS 3225 | 0.0327MHZ.pdf | |
![]() | LL1005-FH1N8S | LL1005-FH1N8S TOKO SMD | LL1005-FH1N8S.pdf | |
![]() | SME200VB22RM10X20LL | SME200VB22RM10X20LL UMITEDCHEMI-CON DIP | SME200VB22RM10X20LL.pdf |