창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA537EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PowerPAK SC70-6L Package Drawing SIA537EDJ | |
PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V, 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 5.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 7.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA537EDJ-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA537EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA537EDJ, SIA537EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | GBU8J-BP | RECT BRIDGE GPP 8A 600V GBU | GBU8J-BP.pdf | |
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![]() | HRG3216P-1130-D-T5 | RES SMD 113 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-1130-D-T5.pdf | |
![]() | Y162522K0000B9W | RES SMD 22K OHM 0.1% 0.3W 1206 | Y162522K0000B9W.pdf | |
![]() | CT1487-D1 | CT1487-D1 GECPLES DIP | CT1487-D1.pdf | |
![]() | KYLINK | KYLINK ORIGINAL SOP18 | KYLINK.pdf | |
![]() | 15049-55O | 15049-55O ST SOP | 15049-55O.pdf | |
![]() | D12-000R0-S | D12-000R0-S DRALORIC SMD or Through Hole | D12-000R0-S.pdf | |
![]() | FP6138-33WDGTR | FP6138-33WDGTR FITI SMD or Through Hole | FP6138-33WDGTR.pdf | |
![]() | HVDA542QDRQ1 | HVDA542QDRQ1 TI SOIC | HVDA542QDRQ1.pdf |