Vishay BC Components SIA537EDJ-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIA537EDJ-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIA537EDJ-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 214.23917
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIA537EDJ-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIA537EDJ-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIA537EDJ-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIA537EDJ-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIA537EDJ-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA537EDJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PowerPAK SC70-6L Package Drawing SIA537EDJ | |
| PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V, 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 5.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA537EDJ-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA537EDJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA537EDJ, SIA537EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIA537EDJ-T1-GE3 의 관련 제품
 | T55A336M010C0070 | 33µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 70 mOhm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T55A336M010C0070.pdf | |
 | ASTMHTV-8.000MHZ-AR-E-T | 8MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-8.000MHZ-AR-E-T.pdf | |
| MBR200200CTR | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | MBR200200CTR.pdf | |
| 3090R-121K | 120nH Unshielded Inductor 870mA 100 mOhm Max 2-SMD | 3090R-121K.pdf | |
 | PNP200JR-52-56R | RES 56 OHM 2W 5% AXIAL | PNP200JR-52-56R.pdf | |
| LF505-S/SPS | LF505-S/SPS ORIGINAL SMD or Through Hole | LF505-S/SPS.pdf | |
| HD6412312SVF25V | HD6412312SVF25V RENESAS QFP | HD6412312SVF25V.pdf | |
| C2012C0G1H104JT000N | C2012C0G1H104JT000N TDK SMD or Through Hole | C2012C0G1H104JT000N.pdf | |
| D4C0112N | D4C0112N ORIGINAL SMD or Through Hole | D4C0112N.pdf | |
| HI1608-1C22NJNT | HI1608-1C22NJNT ACX O603 | HI1608-1C22NJNT.pdf | |
| OP04EH | OP04EH ORIGINAL SMD or Through Hole | OP04EH.pdf | |
| TMP87C800DF-1276 | TMP87C800DF-1276 TOS PLCC | TMP87C800DF-1276.pdf |