창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIA527DJ-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIA527DJ | |
| PCN 설계/사양 | SIL-001-2015-Rev-0 21/Jan/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 이중 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIA527DJ-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIA527DJ-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIA527DJ-, SIA527DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | TP868C12R | TP868C12R FUJI TO-220 | TP868C12R.pdf | |
![]() | IS61LP6436A-133TQ | IS61LP6436A-133TQ ISSI QFP | IS61LP6436A-133TQ.pdf | |
![]() | BMN6 | BMN6 ORIGINAL QFN-12 | BMN6.pdf | |
![]() | S1C33301B00A100 | S1C33301B00A100 EPSON SMD or Through Hole | S1C33301B00A100.pdf | |
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![]() | KC1JTTD350P8N0L | KC1JTTD350P8N0L koa SMD or Through Hole | KC1JTTD350P8N0L.pdf | |
![]() | 530260-01 | 530260-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 530260-01.pdf | |
![]() | LH-50S | LH-50S ORIGINAL NA | LH-50S.pdf | |
![]() | 81008E-UE065 | 81008E-UE065 ORIGINAL SMD-28 | 81008E-UE065.pdf | |
![]() | UF5407P | UF5407P MC SMD or Through Hole | UF5407P.pdf | |
![]() | GH-TG03 | GH-TG03 ORIGINAL SMD or Through Hole | GH-TG03.pdf |