창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA437DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA437DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | 12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2340pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA437DJ-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA437DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA437DJ-, SIA437DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SQJ202EP-T1_GE3 | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | SQJ202EP-T1_GE3.pdf | |
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![]() | MRS25000C2100FRP00 | RES 210 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C2100FRP00.pdf | |
![]() | CMF701K2000JKEA | RES 1.2K OHM 1.75W 5% AXIAL | CMF701K2000JKEA.pdf | |
![]() | BB2003 | 200MHz Whip, Straight RF Antenna 3dB Connector, NMO Base Mount | BB2003.pdf | |
![]() | HRF281Z | HRF281Z MOTOROLA N A | HRF281Z.pdf | |
![]() | RFD16N05SM9A. | RFD16N05SM9A. FAIRCHILDSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | RFD16N05SM9A..pdf | |
![]() | 3900-01-K | 3900-01-K ORIGINAL SMD or Through Hole | 3900-01-K.pdf | |
![]() | CF68647AGB | CF68647AGB ORIGINAL SMD or Through Hole | CF68647AGB.pdf | |
![]() | CK8-04 PRO ENG SAMPLE | CK8-04 PRO ENG SAMPLE ATI BGA | CK8-04 PRO ENG SAMPLE.pdf | |
![]() | CS30-12I01 | CS30-12I01 IXYS TO-247 | CS30-12I01.pdf | |
![]() | ITR8117 | ITR8117 EVERLIGH DIP | ITR8117.pdf |