창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA437DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA437DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | 12 V, -20 V, and -30 V Gen III P-Channel MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 8A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2340pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA437DJ-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA437DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA437DJ-, SIA437DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | HMC464LP5 | HMC464LP5 HITTITE MLP-16 | HMC464LP5.pdf | |
![]() | ESI-5BBR0851M01 | ESI-5BBR0851M01 NXP SMD or Through Hole | ESI-5BBR0851M01.pdf | |
![]() | HOS060 | HOS060 AD CAN-12 | HOS060.pdf | |
![]() | DG300-5.0-4P11A | DG300-5.0-4P11A ORIGINAL SMD or Through Hole | DG300-5.0-4P11A.pdf | |
![]() | PE-51719-002 | PE-51719-002 ORIGINAL SMD or Through Hole | PE-51719-002.pdf |