창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA433EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA433EDJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 7.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA433EDJ-T1-GE3TR SIA433EDJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA433EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA433EDJ, SIA433EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
201S42E271FV4E | 270pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 201S42E271FV4E.pdf | ||
7V-20.000MAHQ-T | CRYSTAL 20.000MHZ 10PF SMT | 7V-20.000MAHQ-T.pdf | ||
PRG3216P-2001-B-T5 | RES SMD 2K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-2001-B-T5.pdf | ||
EPM9560RC/ARC240 | EPM9560RC/ARC240 ALTERA QFP | EPM9560RC/ARC240.pdf | ||
CB-WL001 | CB-WL001 Braseli SMD or Through Hole | CB-WL001.pdf | ||
STC12C0552-35C-PDIP28 | STC12C0552-35C-PDIP28 STC DIP28 | STC12C0552-35C-PDIP28.pdf | ||
LANK505DW3HS | LANK505DW3HS WALL DIP | LANK505DW3HS.pdf | ||
LT6108IMS8-2 | LT6108IMS8-2 LT MSOP-8 | LT6108IMS8-2.pdf | ||
S-80819ALNP-EAG-T2 | S-80819ALNP-EAG-T2 ORIGINAL SOT-343 | S-80819ALNP-EAG-T2.pdf | ||
WSL1206R0300FTA | WSL1206R0300FTA VISHAY SMD or Through Hole | WSL1206R0300FTA.pdf | ||
BCM8105IFB | BCM8105IFB BROADCOM BGA | BCM8105IFB.pdf | ||
8821CPNG4JF7=HAIER8821-V1.0 | 8821CPNG4JF7=HAIER8821-V1.0 HAIER DIP64 | 8821CPNG4JF7=HAIER8821-V1.0.pdf |