창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA426DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA426DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23.6m옴 @ 9.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1020pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 19W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA426DJ-T1-GE3TR SIA426DJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA426DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA426DJ-, SIA426DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RC0603FR-0741K2L | RES SMD 41.2K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-0741K2L.pdf | ||
4306R-101-390 | RES ARRAY 5 RES 39 OHM 6SIP | 4306R-101-390.pdf | ||
P51-3000-A-C-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Absolute Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-3000-A-C-MD-20MA-000-000.pdf | ||
M003501Y5 | M003501Y5 CMD SOT-153 | M003501Y5.pdf | ||
53916-0201 | 53916-0201 Molex SMD or Through Hole | 53916-0201.pdf | ||
MAX490ECSA-T NSO8 15 | MAX490ECSA-T NSO8 15 MAXIM SMD or Through Hole | MAX490ECSA-T NSO8 15.pdf | ||
MAX9700DEBC+T | MAX9700DEBC+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX9700DEBC+T.pdf | ||
SU10-12D15 | SU10-12D15 SUCCEED DIP | SU10-12D15.pdf | ||
MC33202DR2-LF | MC33202DR2-LF TI SMD or Through Hole | MC33202DR2-LF.pdf | ||
ATJ2275 | ATJ2275 Actions SMD | ATJ2275.pdf | ||
DAC-HZ12BMG | DAC-HZ12BMG DATEL DIP | DAC-HZ12BMG.pdf | ||
2SA600E-NP | 2SA600E-NP ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SA600E-NP.pdf |