창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA425EDJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA425EDJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 4.2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 15.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA425EDJ-T1-GE3TR SIA425EDJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA425EDJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA425EDJ, SIA425EDJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RCP0603B120RJS2 | RES SMD 120 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B120RJS2.pdf | |
![]() | A7505-12 | A7505-12 OKI DIP-28 | A7505-12.pdf | |
![]() | DS2148J | DS2148J ORIGINAL SMD or Through Hole | DS2148J.pdf | |
![]() | J-S8719-8P | J-S8719-8P SMK SMD or Through Hole | J-S8719-8P.pdf | |
![]() | T15V4M16A-55C | T15V4M16A-55C TMT BGA | T15V4M16A-55C.pdf | |
![]() | EPF8636ARC208-2 | EPF8636ARC208-2 ALTERA QFP208 | EPF8636ARC208-2.pdf | |
![]() | FP35R12W2T4_B11 | FP35R12W2T4_B11 INF SMD or Through Hole | FP35R12W2T4_B11.pdf | |
![]() | V23990-P443CPM | V23990-P443CPM TYCO SMD or Through Hole | V23990-P443CPM.pdf | |
![]() | MEGA168V-10PU | MEGA168V-10PU ATMEL DIP | MEGA168V-10PU.pdf | |
![]() | GCB30004IR | GCB30004IR IBM SMD or Through Hole | GCB30004IR.pdf | |
![]() | MXA1709ESE | MXA1709ESE MAXIM 3.9mm16 | MXA1709ESE.pdf | |
![]() | TPS61000DGST | TPS61000DGST TI MSOP-10 | TPS61000DGST.pdf |