창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIA408DJ-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIA408DJ | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | Power MOSFETs in PowerPAK® SC-70 Package | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 5.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 830pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 17.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SC-70-6 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIA408DJ-T1-GE3TR SIA408DJT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIA408DJ-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIA408DJ-, SIA408DJ-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | VJ0805D201JLBAT | 200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D201JLBAT.pdf | |
![]() | EEC-S0HD334HN | 330mF Supercap 5.5V Axial, Can - Horizontal 75 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.413" Dia (10.50mm) | EEC-S0HD334HN.pdf | |
![]() | MS4800S-30-2120-X | TRANSMITTER SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-30-2120-X.pdf | |
![]() | 13D-05S05NANL | 13D-05S05NANL ORIGINAL SMD or Through Hole | 13D-05S05NANL.pdf | |
![]() | HD6473827RH | HD6473827RH HITACHI QFP | HD6473827RH.pdf | |
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![]() | GT15H101 | GT15H101 TOSHIBA TO-3P | GT15H101.pdf | |
![]() | 199D106X9016 | 199D106X9016 SPRAGUE SMD or Through Hole | 199D106X9016.pdf | |
![]() | XC8D-1251L-SN | XC8D-1251L-SN OMRON SMD or Through Hole | XC8D-1251L-SN.pdf | |
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