창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI8821EDB-T2-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI8821EDB | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 설계/사양 | SIL-014-2015 10/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI8821EDB-T2-E1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI8821EDB-T2-E1 | |
관련 링크 | SI8821EDB, SI8821EDB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
VJ1206Y392KBCAT4X | 3900pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y392KBCAT4X.pdf | ||
CMF5545K300BEEB | RES 45.3K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5545K300BEEB.pdf | ||
20.000M-F4105T | 20.000M-F4105T FOX SMD or Through Hole | 20.000M-F4105T.pdf | ||
SS9011-HBU | SS9011-HBU ORIGINAL T0-92 | SS9011-HBU.pdf | ||
SN75ALS160DWG4 | SN75ALS160DWG4 TI SMD or Through Hole | SN75ALS160DWG4.pdf | ||
STL0680ACL144 | STL0680ACL144 sil QFP | STL0680ACL144.pdf | ||
LC73104A | LC73104A SANYO SOP | LC73104A.pdf | ||
KDV804S-B-RTK | KDV804S-B-RTK KEC SOT23 | KDV804S-B-RTK.pdf | ||
MC803-128K32Q-ES | MC803-128K32Q-ES MOSYS QFP | MC803-128K32Q-ES.pdf | ||
2225-104K/50V | 2225-104K/50V NOVACAP 2225-104K50V | 2225-104K/50V.pdf | ||
1BV80 | 1BV80 IR SMD or Through Hole | 1BV80.pdf | ||
ALSS0043 | ALSS0043 ORIGINAL SOP-8 | ALSS0043.pdf |