창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8821EDB-T2-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI8821EDB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 설계/사양 | SIL-014-2015 10/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8821EDB-T2-E1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8821EDB-T2-E1 | |
| 관련 링크 | SI8821EDB, SI8821EDB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F44025IDT | 44MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44025IDT.pdf | |
![]() | LM431BI | LM431BI NSC SOP8 | LM431BI.pdf | |
![]() | COGICNT3907 | COGICNT3907 COG SMD or Through Hole | COGICNT3907.pdf | |
![]() | XR2211ACD (LF) | XR2211ACD (LF) EXAR SOIC | XR2211ACD (LF).pdf | |
![]() | PS21065-Y | PS21065-Y MITSUBISHI SMD or Through Hole | PS21065-Y.pdf | |
![]() | 2193KJC | 2193KJC Raytheon QFP | 2193KJC.pdf | |
![]() | TMA 1212D | TMA 1212D TRACO SMD or Through Hole | TMA 1212D.pdf | |
![]() | 0603 1.1K | 0603 1.1K ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603 1.1K.pdf | |
![]() | DS1830AS+ | DS1830AS+ Maxim original | DS1830AS+.pdf | |
![]() | 74LCX14MTCX_NL | 74LCX14MTCX_NL TI SOP | 74LCX14MTCX_NL.pdf | |
![]() | SW48CXC620 | SW48CXC620 WESTCODE SMD or Through Hole | SW48CXC620.pdf |