창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8817DB-T2-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si8817DB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 76m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 615pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8817DB-T2-E1TR SI8817DBT2E1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8817DB-T2-E1 | |
| 관련 링크 | SI8817DB, SI8817DB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SE5470-004 | Infrared (IR) Emitter 880nm 1.9V 100mA 3.5mW/cm² @ 100mA 20° TO-46-2 Metal Can | SE5470-004.pdf | |
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![]() | RP73D2A8K06BTG | RES SMD 8.06K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A8K06BTG.pdf | |
![]() | P61-200-A-A-I36-20MA-A | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P61-200-A-A-I36-20MA-A.pdf | |
![]() | TM-008 | TM-008 TM ZIP11 | TM-008.pdf | |
![]() | MTS276 | MTS276 ALLEGRO TO-92 | MTS276.pdf | |
![]() | AP1501KC | AP1501KC HITACHI TO263 | AP1501KC.pdf | |
![]() | PT2315L | PT2315L PTC SOP | PT2315L.pdf | |
![]() | PE65727 | PE65727 ORIGINAL SMD or Through Hole | PE65727.pdf | |
![]() | TB118KC7S | TB118KC7S ORIGINAL SMD or Through Hole | TB118KC7S.pdf | |
![]() | MAX6685AU75L | MAX6685AU75L MAX Call | MAX6685AU75L.pdf | |
![]() | 1812J0500104KXT-CECC | 1812J0500104KXT-CECC SYFER SMD | 1812J0500104KXT-CECC.pdf |