창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8810EDB-T2-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI8810EDB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 245pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8810EDB-T2-E1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8810EDB-T2-E1 | |
| 관련 링크 | SI8810EDB, SI8810EDB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW201051R0FKEF | RES SMD 51 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201051R0FKEF.pdf | |
![]() | Y00961K20910A9L | RES 1.2091K OHM 1/5W 0.05% AXIAL | Y00961K20910A9L.pdf | |
![]() | 25YXG680MLLC 10X20 | 25YXG680MLLC 10X20 RUBYCON SMD or Through Hole | 25YXG680MLLC 10X20.pdf | |
![]() | STX5119ALB | STX5119ALB ST QFP | STX5119ALB.pdf | |
![]() | TSC20406IPW | TSC20406IPW TI 80-TQFP | TSC20406IPW.pdf | |
![]() | SN14K2CT26 | SN14K2CT26 KOA SMD or Through Hole | SN14K2CT26.pdf | |
![]() | 21FVX-RSM1-GAN-ETF(S) | 21FVX-RSM1-GAN-ETF(S) JST SMD or Through Hole | 21FVX-RSM1-GAN-ETF(S).pdf | |
![]() | AM777. | AM777. PHI SOP | AM777..pdf | |
![]() | MX29F800TCC-9 | MX29F800TCC-9 N/A QFP | MX29F800TCC-9.pdf | |
![]() | AXK4S30535G | AXK4S30535G NAiS SMD or Through Hole | AXK4S30535G.pdf | |
![]() | 3SK2962Q-TL | 3SK2962Q-TL ORIGINAL SMD or Through Hole | 3SK2962Q-TL.pdf | |
![]() | ITB300-S | ITB300-S LEM SMD or Through Hole | ITB300-S.pdf |