창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8473EDB-T1-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI8473EDB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8473EDB-T1-E1TR SI8473EDBT1E1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8473EDB-T1-E1 | |
| 관련 링크 | SI8473EDB, SI8473EDB-T1-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 12067A121JAT2A | 120pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12067A121JAT2A.pdf | |
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![]() | M2VT2P55BFP | M2VT2P55BFP ORIGINAL SMD or Through Hole | M2VT2P55BFP.pdf | |
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![]() | 1.5KE30A-E3/23 | 1.5KE30A-E3/23 VISHAY SMD or Through Hole | 1.5KE30A-E3/23.pdf | |
![]() | TCSCSOJ226MBAB | TCSCSOJ226MBAB ORIGINAL B1210 | TCSCSOJ226MBAB.pdf | |
![]() | TK11230CMCL-GH | TK11230CMCL-GH AKM SOT-23L-6 | TK11230CMCL-GH.pdf | |
![]() | 1833031 | 1833031 rs SMD or Through Hole | 1833031.pdf |