창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI8447DB-T2-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI8447DB | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-MICRO FOOT™ | |
공급 장치 패키지 | 6-Micro Foot™ | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SI8447DB-T2-E1CT SI8447DBT2E1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI8447DB-T2-E1 | |
관련 링크 | SI8447DB, SI8447DB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C2012Y5V1C225Z/1.25 | 2.2µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012Y5V1C225Z/1.25.pdf | ||
MS4800-RM6 | MODULE SENSOR | MS4800-RM6.pdf | ||
ACS750-LCA-050 | ACS750-LCA-050 ALLEGRO ALLEGRO | ACS750-LCA-050.pdf | ||
V660LA10 | V660LA10 ORIGINAL 660-850 | V660LA10.pdf | ||
74LV259DB,118 | 74LV259DB,118 PHI IC74LM4000 | 74LV259DB,118.pdf | ||
CL-200G-C-ST | CL-200G-C-ST CITIZEN SMD or Through Hole | CL-200G-C-ST.pdf | ||
STRADA-A | STRADA-A LED SMD or Through Hole | STRADA-A.pdf | ||
LT1198-1BS8 | LT1198-1BS8 LT SOP8 | LT1198-1BS8.pdf | ||
2032-6371-00 | 2032-6371-00 MA/COM SMD or Through Hole | 2032-6371-00.pdf | ||
BD91390MUV-E2 | BD91390MUV-E2 ROHM QFN | BD91390MUV-E2.pdf | ||
XEC1008CW820JGT-A | XEC1008CW820JGT-A ORIGINAL SMD or Through Hole | XEC1008CW820JGT-A.pdf | ||
AN87C198-16 | AN87C198-16 AMD PLCC52 | AN87C198-16.pdf |