Vishay BC Components SI8429DB-T1-E1
- 제조업체 부품 번호
- SI8429DB-T1-E1
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SI8429DB-T1-E1 가격 및 조달
가능 수량
44550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 444.78720
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SI8429DB-T1-E1 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SI8429DB-T1-E1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SI8429DB-T1-E1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SI8429DB-T1-E1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI8429DB-T1-E1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8429DB-T1-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI8429DB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V | |
| 카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.2V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1640pF @ 4V | |
| 전력 - 최대 | 6.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8429DB-T1-E1TR SI8429DBT1E1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8429DB-T1-E1 | |
| 관련 링크 | SI8429DB, SI8429DB-T1-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SI8429DB-T1-E1 의 관련 제품
 | VJ0603G105KXYCW1BC | 1µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603G105KXYCW1BC.pdf | |
 | 3386G-1-682 | 6.8k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3386G-1-682.pdf | |
 | RG1005P-1332-D-T10 | RES SMD 13.3KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-1332-D-T10.pdf | |
 | LB-1200U | LB-1200U LANKOM DIP | LB-1200U.pdf | |
| HM62726 | HM62726 UTC DIP | HM62726.pdf | |
| NJM386BM-TE1-#ZZZB | NJM386BM-TE1-#ZZZB JRC DMP8 | NJM386BM-TE1-#ZZZB.pdf | |
| MTFC32GGADM-WT | MTFC32GGADM-WT MICRON BGA | MTFC32GGADM-WT.pdf | |
| RM5231E-150 | RM5231E-150 QED QFP-128P | RM5231E-150.pdf | |
| SEI120-02-G-S-AT | SEI120-02-G-S-AT SAMTEC SMD or Through Hole | SEI120-02-G-S-AT.pdf | |
| N2530-6002RB | N2530-6002RB M/WSI SMD or Through Hole | N2530-6002RB.pdf | |
| CA0007AME1 | CA0007AME1 PIONEER SMD or Through Hole | CA0007AME1.pdf | |
| KM68V1000CLTE-8L | KM68V1000CLTE-8L SAMSUNG TSSOP32 | KM68V1000CLTE-8L.pdf |