창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8416DB-T2-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI8416DB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 8V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1470pF @ 4V | |
| 전력 - 최대 | 13W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UFBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 6-Micro Foot™ | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8416DB-T2-E1 | |
| 관련 링크 | SI8416DB, SI8416DB-T2-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | C901U409CUNDCAWL20 | 4pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U409CUNDCAWL20.pdf | |
![]() | 12-215UYC/S530-A3/TR8 | Yellow 589nm LED Indication - Discrete 2V 2-SMD, No Lead | 12-215UYC/S530-A3/TR8.pdf | |
![]() | MAX232CSE ACSE | MAX232CSE ACSE MAX SOP | MAX232CSE ACSE.pdf | |
![]() | SQS16B1001JLLF7 | SQS16B1001JLLF7 ORIGINAL SMD or Through Hole | SQS16B1001JLLF7.pdf | |
![]() | 2SJ219STL | 2SJ219STL RENESAS SOT263 | 2SJ219STL.pdf | |
![]() | 301CL | 301CL THAILAND CDIP | 301CL.pdf | |
![]() | 2520-2R2 | 2520-2R2 ORIGINAL SMD | 2520-2R2.pdf | |
![]() | PIC32MX210F016B-I/SO | PIC32MX210F016B-I/SO MIC TQFP-64-80-100 | PIC32MX210F016B-I/SO.pdf | |
![]() | HE2D108M30045 | HE2D108M30045 SAMW DIP2 | HE2D108M30045.pdf |