창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8409DB-T1-E1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI8409DB | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 1A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.47W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA | |
| 공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI8409DB-T1-E1TR SI8409DBT1E1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8409DB-T1-E1 | |
| 관련 링크 | SI8409DB, SI8409DB-T1-E1 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SRU1038A-221Y | 220µH Shielded Wirewound Inductor 650mA 740 mOhm Max Nonstandard | SRU1038A-221Y.pdf | |
![]() | 5022R-682F | 6.8µH Unshielded Inductor 820mA 500 mOhm Max 2-SMD | 5022R-682F.pdf | |
![]() | Y14558K90000B9R | RES SMD 8.9K OHM 0.1% 1/5W 1506 | Y14558K90000B9R.pdf | |
![]() | Y1746250R000B9L | RES SMD 250 OHM 0.1% 0.6W J LEAD | Y1746250R000B9L.pdf | |
![]() | HDW809S/R/T/V | HDW809S/R/T/V ORIGINAL SOT23-3 | HDW809S/R/T/V.pdf | |
![]() | T159APG | T159APG ORIGINAL TSSOP8 | T159APG.pdf | |
![]() | MAX6313UK44D4+T | MAX6313UK44D4+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6313UK44D4+T.pdf | |
![]() | xilleon 210 | xilleon 210 ATI BGA | xilleon 210.pdf | |
![]() | GM5022A1AH-EL | GM5022A1AH-EL MITSUMI SMD or Through Hole | GM5022A1AH-EL.pdf | |
![]() | PM16003 | PM16003 PPT SMD or Through Hole | PM16003.pdf | |
![]() | TL072L T/R | TL072L T/R UTC SOP8 | TL072L T/R.pdf |