창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI8261ABD-C-IS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Si826x Datasheet | |
| 애플리케이션 노트 | Si826x Family Usage | |
| PCN 설계/사양 | Shipping Label Change for Isolation Devices 06/Oct/2015 | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광절연기 - 게이트 구동기 | |
| 제조업체 | Silicon Labs | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q100 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 기술 | 정전 용량 결합 | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 5000Vrms | |
| 공통 모드 일시 내성(최소) | 35kV/µs | |
| 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) | 60ns, 50ns | |
| 펄스 폭 왜곡(최대) | 28ns | |
| 상승/하강 시간(통상) | 5.5ns, 8.5ns | |
| 전류 - 고출력, 저출력 | 400mA, 600mA | |
| 전류 - 피크 출력 | 600mA | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 2.8V(최대) | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 30mA | |
| 전압 - 공급 | 9.4 V ~ 30 V | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SDIP | |
| 승인 | CQC, CSA, UR, VDE | |
| 표준 포장 | 96 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI8261ABD-C-IS | |
| 관련 링크 | SI8261AB, SI8261ABD-C-IS 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 | |
![]() | CL03B332KP3NNNC | 3300pF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CL03B332KP3NNNC.pdf | |
![]() | ATT-0290-11-HEX-02 | RF Attenuator 11dB ±0.5dB 0Hz ~ 18GHz 2W HEX In-Line Module | ATT-0290-11-HEX-02.pdf | |
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![]() | YJB-MR16B-0.7 | YJB-MR16B-0.7 ORIGINAL SMD or Through Hole | YJB-MR16B-0.7.pdf | |
![]() | FP6162ADGR-G1 | FP6162ADGR-G1 ORIGINAL MSOP10 | FP6162ADGR-G1.pdf | |
![]() | C23Y5U1E335ZTE08 | C23Y5U1E335ZTE08 TOKIN SMD or Through Hole | C23Y5U1E335ZTE08.pdf | |
![]() | NV10 | NV10 NVIDIA BGA | NV10.pdf | |
![]() | PME5218TP/S | PME5218TP/S Ericsson SMD or Through Hole | PME5218TP/S.pdf | |
![]() | MM3010GNRE/3.6V | MM3010GNRE/3.6V MITSUMI SOT23-5 | MM3010GNRE/3.6V.pdf | |
![]() | BZX79-C2V4,133 | BZX79-C2V4,133 NXP SMD or Through Hole | BZX79-C2V4,133.pdf | |
![]() | 54HCT20F | 54HCT20F TI CDIP14 | 54HCT20F.pdf |