창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI7923DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI7923DN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 6.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI7923DN-T1-GE3TR SI7923DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI7923DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI7923DN-, SI7923DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BAR81W/BB | BAR81W/BB INFINEON SOT343 | BAR81W/BB.pdf | |
![]() | 103673-1 | 103673-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 103673-1.pdf | |
![]() | W83L9500 | W83L9500 ORIGINAL QFP | W83L9500.pdf | |
![]() | SSN3906-HF | SSN3906-HF S&E SMD or Through Hole | SSN3906-HF.pdf | |
![]() | K522F1GACA-A050 | K522F1GACA-A050 SAMSUNG BGA | K522F1GACA-A050.pdf | |
![]() | TLP181(TPLF) | TLP181(TPLF) TOSHIBA SOP-4 | TLP181(TPLF).pdf | |
![]() | X24320S8-2.5 | X24320S8-2.5 intersil SOP8 | X24320S8-2.5.pdf | |
![]() | 10V 3300UF | 10V 3300UF SUNCON SMD or Through Hole | 10V 3300UF.pdf | |
![]() | 5145154-1 | 5145154-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 5145154-1.pdf | |
![]() | WT50F5014000C | WT50F5014000C WE SMD or Through Hole | WT50F5014000C.pdf | |
![]() | PTVS8V5P1UP | PTVS8V5P1UP NXP SMD or Through Hole | PTVS8V5P1UP.pdf | |
![]() | HC4005A | HC4005A ORIGINAL TO-3 | HC4005A.pdf |