창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7898DP-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7898DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7898DP-T1-E3TR SI7898DPT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7898DP-T1-E3 | |
관련 링크 | SI7898DP, SI7898DP-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
HSCMRRN001PDAA3 | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.33 V ~ 2.97 V 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Same Side | HSCMRRN001PDAA3.pdf | ||
CT10-1525-G1 | CT10-1525-G1 COTO SMD or Through Hole | CT10-1525-G1.pdf | ||
SAB83C166W-5MT3 | SAB83C166W-5MT3 INFINEON QFP100 | SAB83C166W-5MT3.pdf | ||
SHR102A | SHR102A SHET SIP | SHR102A.pdf | ||
FZK111 | FZK111 ORIGINAL DIP | FZK111.pdf | ||
L29C520SC14 | L29C520SC14 LOGICDEVICESINC SMD or Through Hole | L29C520SC14.pdf | ||
RPIXP2855AA | RPIXP2855AA INTEL BGA | RPIXP2855AA.pdf | ||
STEVAL-IHM006V1 | STEVAL-IHM006V1 SMD/DIP ST | STEVAL-IHM006V1.pdf | ||
HPC723 | HPC723 ORIGINAL DIP | HPC723.pdf | ||
BBREF02AU | BBREF02AU ORIGINAL SOP8 | BBREF02AU.pdf | ||
G2-0004 | G2-0004 ORIGINAL DIP8 | G2-0004.pdf | ||
I3-5050-5 | I3-5050-5 HARRIS/INT DIP16 | I3-5050-5.pdf |