창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7858BDP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7858BDP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 15A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5760pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7858BDP-T1-GE3TR SI7858BDPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7858BDP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7858BDP, SI7858BDP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
UFG1J330MPM1TD | 33µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UFG1J330MPM1TD.pdf | ||
K50-3C0SE50.0000MR | 50MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Enable/Disable | K50-3C0SE50.0000MR.pdf | ||
G6JU-2P-Y DC9 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6JU-2P-Y DC9.pdf | ||
CRCW251211R0JNEG | RES SMD 11 OHM 5% 1W 2512 | CRCW251211R0JNEG.pdf | ||
CD1UF/50V | CD1UF/50V SD DIP | CD1UF/50V.pdf | ||
MJD3055 | MJD3055 ORIGINAL DPAKTO-252 | MJD3055 .pdf | ||
SMT4214G-02 | SMT4214G-02 SUMMIT SSOP | SMT4214G-02.pdf | ||
YSX531SL 32MHZ 18PF 20PPM Y a K | YSX531SL 32MHZ 18PF 20PPM Y a K YXC SMD or Through Hole | YSX531SL 32MHZ 18PF 20PPM Y a K.pdf | ||
STR-F6515 | STR-F6515 SANKEN SMD or Through Hole | STR-F6515.pdf | ||
GF120 | GF120 ORIGINAL CAN | GF120.pdf | ||
SMB10J7.5A-E3 | SMB10J7.5A-E3 VISHAY DO-214AA | SMB10J7.5A-E3.pdf |