창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7858ADP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si7858ADP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 29A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7858ADP-T1-GE3TR SI7858ADPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7858ADP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7858ADP, SI7858ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SI4823DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC | SI4823DY-T1-GE3.pdf | ||
LCS708HG | LCS708HG POWER ESIP-16C | LCS708HG.pdf | ||
1X0689 | 1X0689 SANYO SMD or Through Hole | 1X0689.pdf | ||
AZ682-1C-24DEG | AZ682-1C-24DEG AMERZET SMD or Through Hole | AZ682-1C-24DEG.pdf | ||
MB89627RPF-G-511-BND | MB89627RPF-G-511-BND ORIGINAL QFP | MB89627RPF-G-511-BND.pdf | ||
GMR42-2X5R106K16 | GMR42-2X5R106K16 ORIGINAL SMD | GMR42-2X5R106K16.pdf | ||
EP1K10QC208-2Q | EP1K10QC208-2Q ALTERA QFP-208 | EP1K10QC208-2Q.pdf | ||
B66480G0000X187 | B66480G0000X187 epcos SMD or Through Hole | B66480G0000X187.pdf | ||
VU08016N01 | VU08016N01 IXYS SMD or Through Hole | VU08016N01.pdf | ||
MPG97 | MPG97 MPS QFN6 | MPG97.pdf | ||
TCA4001226MRA0180 | TCA4001226MRA0180 MATSUO SMD | TCA4001226MRA0180.pdf |