창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7850DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI7850DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 10.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7850DP-T1-GE3TR SI7850DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI7850DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7850DP-, SI7850DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
B0830-2R5475-R | 4.7F Supercap 2.5V Radial, Can 150 mOhm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.335" Dia (8.50mm) | B0830-2R5475-R.pdf | ||
VS-8EWS16S-M3 | DIODE RECTIFIER 1600V 8A DPAK | VS-8EWS16S-M3.pdf | ||
IXFH24N60C5 | IXFH24N60C5 IXYS TO-247 | IXFH24N60C5.pdf | ||
SZ75194 | SZ75194 Honeywell PIN6 | SZ75194.pdf | ||
RD4.7UM | RD4.7UM NEC SC-78 | RD4.7UM.pdf | ||
HMBZ5257BLT1G | HMBZ5257BLT1G ON SOT-23 | HMBZ5257BLT1G.pdf | ||
TK1804M K | TK1804M K DYNEX TO94 | TK1804M K.pdf | ||
tesvd21v685m12r | tesvd21v685m12r ORIGINAL SMD or Through Hole | tesvd21v685m12r.pdf | ||
RC80R2J224K-TS | RC80R2J224K-TS MARUWA SMD | RC80R2J224K-TS.pdf | ||
KH600AI | KH600AI KMI SMD or Through Hole | KH600AI.pdf | ||
MAX6705RKA | MAX6705RKA Maxim SMD or Through Hole | MAX6705RKA.pdf | ||
RLR7C5901FS | RLR7C5901FS DALE SMD or Through Hole | RLR7C5901FS.pdf |